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标题: 掩耳盗铃的EVA抗PID - 你所知道的PID “free”真的Fre... [打印本页]

作者: 硅胶板 时间: 2013-11-10 23:25
标题: 掩耳盗铃的EVA抗PID - 你所知道的PID “free”真的Fre...
   EVA抗PID成了组件抗PID的封装材料解决方案的热门话题。你真的相信EVA能抗PID吗？
   不少通过组件室内模拟PID测试的结果表明，在-1000V、双八五、96小时的试验后，确实没有发现PID现象，或者说，PID现象不严重，组件功率降低小于5%。
   目前从封装材料来解决PID的主要根据是减少EVA材料的水解和增加EVA本身的绝缘电阻，因而多采用较低VA含量，以及适当改变配方，将体积电阻从E14提高到E15数量级。其意义也就是降低组件的漏电流。据EVA厂商介绍某些抗PID性能的EVA封装的组件做PID测试时漏电流今有几微安（普通EVA封装的组件漏电流有几十到几百微安）。

   但这又能说明什么呢？

   首先，看一下EVA抗水解试验。很多双八五试验表明，组件满足1倍甚至2倍的IEC测试已经不再稀奇。但EVA到底什么时候水解会很严重？笔者有幸参加了日前举行的第九届CSPV研讨会。会议上，有多个报告都说明，在3000-35000小时双八五试验后，EVA开始出现严重水解，组件功率开始明显下降。这就引出了一个尖锐的问题：到底抗PID试验要做多长时间？如果EVA开始出现严重水解，那么其抗PID的效果还能维持多久呢？这还没有算上EVA的紫外老化，在紫外线的作用下，EVA的分解、水解会加速，这时候PID还抗吗？

   再者，对于抗PID的EVA封装的组件，众多试验结果表明，组件厂家大多只是宣称其组件功率损失不超过5%。难道不超过5% 就说明PID Free了吗？第九届CSPV大会上有个关于PID的报告给出了这样一个有趣的试验结果，在经过96小时的双八五试验后，组件并没有什么功率损失，EL照片也没有发现异常，但如果把PID试验再严苛一点，在组件的表面覆盖上铝箔，降低玻璃表面的电阻，PID效应立现。

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   再说，前面提到的组件厂试验，和当前发的PID试验证书，只是说功率损失小于5%，并没有说这个组件就是抗PID的。认证机构心里非常明白，但为了利益二字，只能在证书报告上玩点文字游戏。
   没有人知道，产生PID的漏电流是否有个临界值，到底将EVA的电阻提高到多少才好，到底VA含量降到多少才能抗水解呢？
   从目前所查到的有关PID解决方案资料介绍，所谓的抗PID EVA在很大程度上只是个概念，只是针对目前尚不成熟的室内PID测试模拟所给出的临时解决方案。无可厚非的是，抗PID的EVA总比不抗PID的EVA要好，但这并不能说，抗PID的EVA成了组件PID Free的解决方案。只要VA含量在，EVA就永远有个软肋，水解必然在不同的程度上，在各种因素的相互作用下，或迟或早地发生。而EVA一旦水解，其游离的醋酸离子必然将玻璃中的钠离子游离出来，形成漏电流的雪崩效应，到时候还是不是抗PID，就只有天知道了。
   在全世界的EVA厂商都在致力于PID Free的EVA宣传下，组件厂千万不要被这些貌似可信的数据迷了双眼。如果就此相信你的组件已经抗PID了，你和掩耳盗铃没什么不同。找到真正抗PID的材料或其它解决方案，才是业界努力的根本。

作者: wedu110 时间: 2013-11-11 09:33
写的不错，问题摊开讲还是会有的。

作者: xiaodu 时间: 2013-11-11 11:28
坐等12月1号

作者: 中国光伏测试网 时间: 2013-11-12 11:33
杜总V5! 写的真好

作者: gzbld 时间: 2013-11-12 11:42
还是花一点功夫写的，虽太肤浅，

作者: gzbld 时间: 2013-11-12 11:45
你不知道物理和化学的过程和变化，不知国内封装厂的力史，现状，

作者: gzbld 时间: 2013-11-12 11:46
你不知道物理和化学的过程和变化，不知国内封装厂的力史，现状，

作者: wx831555 时间: 2013-11-12 17:10
抗PID的材料的更迭需要一个过程，不是一下就能解决的问题，也不是一两种材料解决了就行了，需要相关的材料整体搭配才能真正意义的抗PID

作者: wx831555 时间: 2013-11-12 17:13
你所说的几种测试方法不够科学，不能保证25年的质保期，现在有哪家组件敢承诺质保期是25年的？之前谣传通过IEC标准整套测试就能保证25年，可实际上IEC从没提到通过测试就能保证25年，25年只是银行或投资人算收益的一个年限。

作者: wx831555 时间: 2013-11-12 17:18
还有你提到了PID测试方法中覆盖铝箔的问题，常温下测试覆盖铝箔这个还说的过去，如果60/85或是85/85条件下还有覆盖铝箔，这个合适吗？组件应用在什么环境下需要这样的测试条件来模拟？有些测试不是测试条件越苛刻越好，需要考虑实际应用中的具体环境，否则测试本身就没意义了。
个人觉得覆盖铝箔的做法只能作为研究PID的机理的辅助性实验。

作者: solartest 时间: 2013-11-12 18:58
覆盖铝箔或铜箔有这样的做法的，可以在一定程度上模拟组件表面受污染后的情况。组件表面积灰受潮，电阻率就会下降。标准测试环境用水蒸汽、冷凝水倒反而不能模拟实际情况。

作者: 硅胶板 时间: 2013-11-12 22:54
感谢各位的评论。希望能看到大家更多ＥＶＡ　抗ＰＩＤ测试的经验和研究，帮助我加深对ＥＶＡ材料的理解。

作者: gaoliangdi86 时间: 2013-11-13 01:49
个人认为楼主的提法有些争议，如部分网友留言所说：楼主所提说法并不科学和严谨，有观点，但并未有合适的技术数据支撑。作为封装材料的EVA胶膜，只是一种高分子材料，它的作用是保护电池片，并不能说是“抗PID”，严格意义上面说是“帮助组件减缓PID的发生”，如果单纯靠一种材料就能使组件达到抗PID的效果，那大家对电池抗PID的研发就没有必要去做了。在目前研发和光伏市场情况下，在电池片未能普遍解决抗PID量产的情形下，组件厂选用合适的EVA胶膜，可以性价比较合适的使组件具有一定的抗PID效果。
电站组件PID的发生机理，行业普遍认为在高电场的作用下，玻璃中的正价离子迁移到电池上面，而导致电池被破坏。楼主在文章里提到漏电流这个现象，漏电流其实就是离子的迁移流，VA指数高，游离出的醋酸根相对低VA指数的要高一些，相对来说更容易导电，当然了，醋酸根本身更容易去结合正价离子，更容易增强玻璃中所析出碱盐正价离子的活性。（这点暂不表述）解决PID问题，从内部来说，需加强电池片抗破坏的能力，外部来说控制离子迁移，控制电场的发生等，打铁还需自身硬，最保险的还是把电池片搞上去，但目前市场行情及技术水平下，改善封装材料是组件厂解决PID问题的最具性价比的选择。
感兴趣的话可加我QQ93056841，一起聊一聊这个问题。

作者: alphameng 时间: 2013-11-13 12:10
估计还要从PID的前世今生来分析，以前的组件没有这种现象，现在有了，是什么原因？
是因为哪个材料被替换了，还是电池片做的薄了，还是其他的什么
现在很多企业提出的抗PID，很多都经不起检验，有的也只是为了拿到所谓的证书而已

作者: yuruo 时间: 2013-11-13 13:20
分析的很好，对很多方面进行了汇总，可以看到一篇完整的PID报告很是荣幸；不盲目相信市场上的广告，我之前接触过一家供方提供的pid free EVA，在双八五条件下严重衰减，没起到任何作用。

作者: gzbld 时间: 2013-11-13 14:27
太多一知半解的人了。光伏让我明白这就是骗子与骗子的游戏，一堆不懂装懂和自以为是的人。中国组件真是拉机。all sciolist.

作者: gzbld 时间: 2013-11-14 13:37
PID是由于大量中国的组件快速衰减，不得不推出，中国组件厂全三再厂，不解释。用了垃圾EVA导致。

作者: gzbld 时间: 2013-11-14 13:40
2008-2011的组件如用国产EVA寿命只有10年，

作者: gzbld 时间: 2013-11-14 13:58
要有前瞻的眼光和科学理解，过PID不代表25年的生命周期和低衰减。大部分组件厂和EVA厂只为满足标准，非常可怕

作者: gzbld 时间: 2013-11-14 14:01
不想再花时间在此，高层看不见，

作者: gzbld 时间: 2013-11-14 14:04
去新浪微博@gzbld，和科学网

作者: 13952471055 时间: 2014-10-4 13:57
从封装材料的可靠性来讲，毫无疑问，EVA是经过历史的检验的，对于EVA进行改良，增加漏电流通道的电阻值，对于PID的产生有很好的抵制作用。另外，从漏电流通道的机理来讲，金属边框是漏电流通道的载体，如果可以把金属边框替换成绝缘的非金属边框，那么就不需要接地，也就切断了漏电流通道，对于PID效应的产生将会有非常正面的作用。如果可以把EVA的改良和非金属边框的应用进行组合，无疑是对PID效应最好的解决方案！当然，如果电池也可以进行改良，当然最好了。总之，PID效应的解决应该是一种组合拳的解决方法！

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