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标题: 光伏组件及电池片PID(电势差引发衰减) 的机理讨论 [打印本页]

作者: 光伏佳人 时间: 2013-2-27 23:58
标题: 光伏组件及电池片PID(电势差引发衰减) 的机理讨论
PID已经越来越被光伏业界关注。以下是一张正负偏压实验室模拟的测试原理图及接线方式。

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关于PID的文章和研究现在越来越多。测试结果和图片也越来越多。如果您有详细的资料、测试照片、研究成果或自己的理解，请分享给光伏业内众多的太阳能小电池。

作者: molly 时间: 2013-2-28 09:17
目前, 行业对于PID的检测并没有统一的标准, 测试的方法主要有三种:
1) 85℃, 85%的絶对湿度, 外加1,000V的负向电压，测试96小时；
2) 常温环境下, 外加1,000V的负向电压，测试168小时;
3) 60℃, 85%的絶对湿度, 外加1,000V的负向电压，测试168小时。

作者: lily 时间: 2013-2-28 09:22

molly 发表于 2013-2-28 09:17
目前, 行业对于PID的检测并没有统一的标准, 测试的方法主要有三种:
1) 85℃, 85%的絶对湿度, 外加1,000V的 ...

我听说已经有四种了。目前还有很多人家，在做PID实验时在绝对温湿度的情况下还整体缠绕铝箔，这样做的PID反应更明显点

作者: 有机硅测试技术 时间: 2013-2-28 14:11

共同研讨。PID 一份简报 http://www1.eere.energy.gov/solar/pdfs/pvmrw2011_26_csi_richardson.pdf

目前还没有这方面的标准答案怎么才算是通过，或不通过。通常就是做PID之前，之后进行EL和IV测试，然后自己判断自己的组件在什么水平。

作者: 星星之火 时间: 2013-2-28 15:31
PID效应是一种在组件上面加上高强度负电压而使组件性能降低的现象。在过去的几十年里，由于系统偏压而引起组件功率大幅衰减，有的衰减甚至超过50%，而从组件外观上却看不到任何缺陷。传统晶硅组件的认证是根据IEC61215 和IEC 61730标准来进行测试，而在这标准之中缺少了对组件长期可靠性评估的相关要求。　
PID测试即将组件连接到1000伏特的电压上，在一定的温度和湿度条件下，连续通电一定的时间，最后监测组件的前后功率的衰减和EL。

作者: molly 时间: 2013-3-1 15:42
做负偏压测试不是简单地把电源的正极接到铝边框，负极接到接线盒。所有的研究论文显示铝边框是要用合适的方法接地的。我们的PID负偏压测试仪经过了以下调试：
1. 将测试仪的回路端测得对地0V，相当于电源的正极
2. 将测试仪的电压输出端测得对地负电压 - 1000V，相当于电源负极。
3. 回路端电势是0，但为高电势端，作为电源的正极，负电压输出端作为低电势端，是电源的负极，
4. 将回路端作为正极接到铝边框的接地端子，测试仪内部已将回路端接地
5. 将负电压输出端作为电源负极接到组件接线盒的插拔头
6. 测试铝边框对地电势：为零
7. 测试接线盒对地电势：为 - 1000V
将以上连接的组件放到高温高湿试验箱，即可测试

作者: 光伏佳人 时间: 2013-3-3 06:31
PID的测试什么时候能够有一个全球统一的标准方法呢？

作者: 有机硅测试技术 时间: 2013-3-5 01:54
有谁了解PECVD设备加笑气改造用来解决PID的相关问题

作者: 硅胶板 时间: 2013-3-5 16:06
为什么组件会承受负的系统偏压呢？这个原理有解释吗？

作者: shxyao123 时间: 2013-3-9 15:15
PID测试现在IEC已经有草稿了。草稿里的测试条件是60℃、85%RH、96h，但是现在很多组件厂家都是做双八五对客户宣传。

作者: admin 时间: 2013-3-9 15:21
有厂家做过在双八五条件下有PID效应的组件，如果用室温条件测，就测不出PID效应，甚至把湿度提高到90%，表面全覆盖铝箔，铝箔和玻璃中间也用水浸湿，所以还是双八五更有说服力。

作者: 有机硅测试技术 时间: 2013-4-16 22:36
近几年的研究表明，存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压，会造成组件的光伏性能的持续衰减。造成此类衰减的机理是多方面的，例如在上述高电压的作用下，组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移现象；电池中出现的热载流子现象；电荷的再分配削减了电池的活性层；相关的电路被腐蚀等等。这些引起衰减的机理被称之为电位诱发衰减、极性化、电解腐蚀和电化学腐蚀。国内已经有不少厂家自己测试通过了，晶奥拿到了PID证书

作者: admin 时间: 2013-4-21 22:50
又要做PID测试了，一次要测好几块，一种新的封装材料的已经做了将近500小时了，还要做，非得做出PID效应来才算完

作者: 有机硅测试技术 时间: 2013-4-28 10:44
最近看了一些关于PID的资料。在系统层面上，消除PID效应的最直接的方法就是将逆变器直流侧接地。但是紧接着又提到现在的逆变器技术并不允许直流侧接地。除了在电池片，以及组件方面尽量避免外，在系统应用方面，消除PID的措施还是有待探索。
逆变器的直流侧能不能接地。无变压器的对直流、交流不能进行隔离，所以不能接地。带变压器的逆变器是可以接地的吗？

作者: 有机硅测试技术 时间: 2013-5-7 09:44
刚看了SNEC展会的主题报告，里面有几个关于PID的，还有一家公司做的题目是消除PID效应最简单的办法，光伏测试网和TUV-NORD举办的研讨会也会将PID相关的话题，期待中啊...

作者: google708 时间: 2013-5-20 08:33

molly 发表于 2013-3-1 15:42
做负偏压测试不是简单地把电源的正极接到铝边框，负极接到接线盒。所有的研究论文显示铝边框是要用合适的方 ...

建议发电路图来看看

作者: jszzlmartin 时间: 2013-11-2 21:42

有机硅测试技术发表于 2013-2-28 14:11
共同研讨。PID 一份简报 http://www1.eere.energy.gov/solar/pdfs/pvmrw2011_26_csi_richardson.pdf目前还 ...

根据标准草案，之前之后是要做低辐照度和湿漏电的。目前标准草案的测试条件是60摄氏度，85的相对湿度和96小时，不带铝箔。测试通过还是看功率衰减不超过5%。并且这些control的测试要求需要在PID出箱的2-8小时内做完。目前莱茵是没有证书的，原因是对于产生机理不是很清楚，重复性很差，具有很大风险。

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