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标题: 掩耳盗铃的EVA抗PID - 你所知道的PID “free”真的Fre... [打印本页]

作者: 硅胶板    时间: 2013-11-10 23:25
标题: 掩耳盗铃的EVA抗PID - 你所知道的PID “free”真的Fre...
       EVA抗PID成了组件抗PID的封装材料解决方案的热门话题。你真的相信EVA能抗PID吗?
       不少通过组件室内模拟PID测试的结果表明,在-1000V、双八五、96小时的试验后,确实没有发现PID现象,或者说,PID现象不严重,组件功率降低小于5%。
       目前从封装材料来解决PID的主要根据是减少EVA材料的水解和增加EVA本身的绝缘电阻,因而多采用较低VA含量,以及适当改变配方,将体积电阻从E14提高到E15数量级。其意义也就是降低组件的漏电流。据EVA厂商介绍某些抗PID性能的EVA封装的组件做PID测试时漏电流今有几微安(普通EVA封装的组件漏电流有几十到几百微安)。

       但这又能说明什么呢?

       首先,看一下EVA抗水解试验。很多双八五试验表明,组件满足1倍甚至2倍的IEC测试已经不再稀奇。但EVA到底什么时候水解会很严重?笔者有幸参加了日前举行的第九届CSPV研讨会。会议上,有多个报告都说明,在3000-35000小时双八五试验后,EVA开始出现严重水解,组件功率开始明显下降。这就引出了一个尖锐的问题:到底抗PID试验要做多长时间?如果EVA开始出现严重水解,那么其抗PID的效果还能维持多久呢?这还没有算上EVA的紫外老化,在紫外线的作用下,EVA的分解、水解会加速,这时候PID还抗吗?

       再者,对于抗PID的EVA封装的组件,众多试验结果表明,组件厂家大多只是宣称其组件功率损失不超过5%。难道不超过5% 就说明PID Free了吗?第九届CSPV大会上有个关于PID的报告给出了这样一个有趣的试验结果,在经过96小时的双八五试验后,组件并没有什么功率损失,EL照片也没有发现异常,但如果把PID试验再严苛一点,在组件的表面覆盖上铝箔,降低玻璃表面的电阻,PID效应立现。
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       再说,前面提到的组件厂试验,和当前发的PID试验证书,只是说功率损失小于5%,并没有说这个组件就是抗PID的。认证机构心里非常明白,但为了利益二字,只能在证书报告上玩点文字游戏。
       没有人知道,产生PID的漏电流是否有个临界值,到底将EVA的电阻提高到多少才好,到底VA含量降到多少才能抗水解呢?
       从目前所查到的有关PID解决方案资料介绍,所谓的抗PID EVA在很大程度上只是个概念,只是针对目前尚不成熟的室内PID测试模拟所给出的临时解决方案。无可厚非的是,抗PID的EVA总比不抗PID的EVA要好,但这并不能说,抗PID的EVA成了组件PID Free的解决方案。只要VA含量在,EVA就永远有个软肋,水解必然在不同的程度上,在各种因素的相互作用下,或迟或早地发生。而EVA一旦水解,其游离的醋酸离子必然将玻璃中的钠离子游离出来,形成漏电流的雪崩效应,到时候还是不是抗PID,就只有天知道了。
       在全世界的EVA厂商都在致力于PID Free的EVA宣传下,组件厂千万不要被这些貌似可信的数据迷了双眼。如果就此相信你的组件已经抗PID了,你和掩耳盗铃没什么不同。找到真正抗PID的材料或其它解决方案,才是业界努力的根本。


作者: wedu110    时间: 2013-11-11 09:33
写的不错,问题摊开讲还是会有的。
作者: xiaodu    时间: 2013-11-11 11:28
坐等12月1号
作者: 中国光伏测试网    时间: 2013-11-12 11:33
杜总V5! 写的真好
作者: gzbld    时间: 2013-11-12 11:42
还是花一点功夫写的,虽太肤浅,
作者: gzbld    时间: 2013-11-12 11:45
你不知道物理和化学的过程和变化,不知国内封装厂的力史,现状,
作者: gzbld    时间: 2013-11-12 11:46
你不知道物理和化学的过程和变化,不知国内封装厂的力史,现状,
作者: wx831555    时间: 2013-11-12 17:10
抗PID的材料的更迭需要一个过程,不是一下就能解决的问题,也不是一两种材料解决了就行了,需要相关的材料整体搭配才能真正意义的抗PID
作者: wx831555    时间: 2013-11-12 17:13
你所说的几种测试方法不够科学,不能保证25年的质保期,现在有哪家组件敢承诺质保期是25年的?之前谣传通过IEC标准整套测试就能保证25年,可实际上IEC从没提到通过测试就能保证25年,25年只是银行或投资人算收益的一个年限。
作者: wx831555    时间: 2013-11-12 17:18
还有你提到了PID测试方法中覆盖铝箔的问题,常温下测试覆盖铝箔这个还说的过去,如果60/85或是85/85条件下还有覆盖铝箔,这个合适吗?组件应用在什么环境下需要这样的测试条件来模拟?有些测试不是测试条件越苛刻越好,需要考虑实际应用中的具体环境,否则测试本身就没意义了。
个人觉得覆盖铝箔的做法只能作为研究PID的机理的辅助性实验。
作者: solartest    时间: 2013-11-12 18:58
覆盖铝箔或铜箔有这样的做法的,可以在一定程度上模拟组件表面受污染后的情况。组件表面积灰受潮,电阻率就会下降。标准测试环境用水蒸汽、冷凝水倒反而不能模拟实际情况。
作者: 硅胶板    时间: 2013-11-12 22:54
感谢各位的评论。希望能看到大家更多EVA 抗PID测试的经验和研究,帮助我加深对EVA材料的理解。
作者: gaoliangdi86    时间: 2013-11-13 01:49
个人认为楼主的提法有些争议,如部分网友留言所说:楼主所提说法并不科学和严谨,有观点,但并未有合适的技术数据支撑。作为封装材料的EVA胶膜,只是一种高分子材料,它的作用是保护电池片,并不能说是“抗PID”,严格意义上面说是“帮助组件减缓PID的发生”,如果单纯靠一种材料就能使组件达到抗PID的效果,那大家对电池抗PID的研发就没有必要去做了。在目前研发和光伏市场情况下,在电池片未能普遍解决抗PID量产的情形下,组件厂选用合适的EVA胶膜,可以性价比较合适的使组件具有一定的抗PID效果。
电站组件PID的发生机理,行业普遍认为在高电场的作用下,玻璃中的正价离子迁移到电池上面,而导致电池被破坏。楼主在文章里提到漏电流这个现象,漏电流其实就是离子的迁移流,VA指数高,游离出的醋酸根相对低VA指数的要高一些,相对来说更容易导电,当然了,醋酸根本身更容易去结合正价离子,更容易增强玻璃中所析出碱盐正价离子的活性。(这点暂不表述)解决PID问题,从内部来说,需加强电池片抗破坏的能力,外部来说控制离子迁移,控制电场的发生等,打铁还需自身硬,最保险的还是把电池片搞上去,但目前市场行情及技术水平下,改善封装材料是组件厂解决PID问题的最具性价比的选择。
感兴趣的话可加我QQ93056841,一起聊一聊这个问题。
作者: alphameng    时间: 2013-11-13 12:10
估计还要从PID的前世今生来分析,以前的组件没有这种现象,现在有了,是什么原因?
是因为哪个材料被替换了,还是电池片做的薄了,还是其他的什么
现在很多企业提出的抗PID,很多都经不起检验,有的也只是为了拿到所谓的证书而已
作者: yuruo    时间: 2013-11-13 13:20
分析的很好,对很多方面进行了汇总,可以看到一篇完整的PID报告很是荣幸;不盲目相信市场上的广告,我之前接触过一家供方提供的pid free  EVA,在双八五条件下严重衰减,没起到任何作用。
作者: gzbld    时间: 2013-11-13 14:27
太多一知半解的人了。光伏让我明白这就是骗子与骗子的游戏,一堆不懂装懂和自以为是的人。中国组件真是拉机。all sciolist.
作者: gzbld    时间: 2013-11-14 13:37
PID是由于大量中国的组件快速衰减,不得不推出,中国组件厂全三再厂,不解释。用了垃圾EVA导致。
作者: gzbld    时间: 2013-11-14 13:40
2008-2011的组件如用国产EVA寿命只有10年,
作者: gzbld    时间: 2013-11-14 13:58
要有前瞻的眼光和科学理解,过PID不代表25年的生命周期和低衰减。大部分组件厂和EVA厂只为满足标准,非常可怕
作者: gzbld    时间: 2013-11-14 14:01
不想再花时间在此,高层看不见,
作者: gzbld    时间: 2013-11-14 14:04
去新浪微博@gzbld,和科学网
作者: 13952471055    时间: 2014-10-4 13:57
从封装材料的可靠性来讲,毫无疑问,EVA是经过历史的检验的,对于EVA进行改良,增加漏电流通道的电阻值,对于PID的产生有很好的抵制作用。另外,从漏电流通道的机理来讲,金属边框是漏电流通道的载体,如果可以把金属边框替换成绝缘的非金属边框,那么就不需要接地,也就切断了漏电流通道,对于PID效应的产生将会有非常正面的作用。如果可以把EVA的改良和非金属边框的应用进行组合,无疑是对PID效应最好的解决方案!当然,如果电池也可以进行改良,当然最好了。总之,PID效应的解决应该是一种组合拳的解决方法!




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