光伏组件及电池片PID(电势差引发衰减) 的机理讨论

有厂家做过在双八五条件下有PID效应的组件，如果用室温条件测，就测不出PID效应，甚至把湿度提高到90%，表面全覆盖铝箔，铝箔和玻璃中间也用水浸湿，所以还是双八五更有说服力。

近几年的研究表明，存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压，会造成组件的光伏性能的持续衰减。造成此类衰减的机理是多方面的，例如在上述高电压的作用下，组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移现象；电池中出现的热载流子现象；电荷的再分配削减了电池的活性层；相关的电路被腐蚀等等。这些引起衰减的机理被称之为电位诱发衰减、极性化、电解腐蚀和电化学腐蚀。国内已经有不少厂家自己测试通过了，晶奥拿到了PID证书

又要做PID测试了，一次要测好几块，一种新的封装材料的已经做了将近500小时了，还要做，非得做出PID效应来才算完

最近看了一些关于PID的资料。在系统层面上，消除PID效应的最直接的方法就是将逆变器直流侧接地。但是紧接着又提到现在的逆变器技术并不允许直流侧接地。除了在电池片，以及组件方面尽量避免外，在系统应用方面，消除PID的措施还是有待探索。
逆变器的直流侧能不能接地。无变压器的对直流、交流不能进行隔离，所以不能接地。带变压器的逆变器是可以接地的吗？

刚看了SNEC展会的主题报告，里面有几个关于PID的，还有一家公司做的题目是消除PID效应最简单的办法，光伏测试网和TUV-NORD举办的研讨会也会将PID相关的话题，期待中啊...

molly 发表于 2013-3-1 15:42
做负偏压测试不是简单地把电源的正极接到铝边框，负极接到接线盒。所有的研究论文显示铝边框是要用合适的方 ...

建议发电路图来看看

有机硅测试技术 发表于 2013-2-28 14:11
共同研讨。PID 一份简报 http://www1.eere.energy.gov/solar/pdfs/pvmrw2011_26_csi_richardson.pdf目前还 ...

根据标准草案，之前之后是要做低辐照度和湿漏电的。目前标准草案的测试条件是60摄氏度，85的相对湿度和96小时，不带铝箔。测试通过还是看功率衰减不超过5%。并且这些control的测试要求需要在PID出箱的2-8小时内做完。 目前莱茵是没有证书的，原因是对于产生机理不是很清楚，重复性很差，具有很大风险。