非晶硅组件弱光效应好？

非晶硅组件比晶硅组件的弱光效应好，为什么？根本原理是什么？求大虾指点。。。

非晶硅(Amorphous silicon, a-Si)，又名无定形硅，是硅的一种同素异形体。

晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶格结构。

而无定性硅不存在这种延展开的晶格结构，原子间的晶格网络呈无序排列。换言之，并非所有的原子都与其它原子严格地按照正四面体排列。由于这种不稳定性，无定形硅中的部分原子含有悬空键(dangling bond)。这些悬空键对硅作为导体的性质有很大的负面影响。然而，这些悬空键可以被氢所填充，经氢化之后，无定形硅的悬空键密度会显著减小，并足以达到半导体材料的标准。但很不如愿的一点是，在光的照射下，氢化无定形硅的导电性能将会显著衰退，这种特性被称为SWE效应(Staebler-Wronski Effect).

美国科学家Stanford R. Ovshinsky拥有许多关于无定形硅的专利，包括半导体、太阳能电池等。它们的成本较相应的晶体硅制成品要低很多。

此外，无定形硅可用作热成像照相机(Thermal Camera)中的微辐射探测仪(microbolometer)。

非晶硅(Amorphous silicon, a-Si)，又名无定形硅，是硅的一种同素异形体。

晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶格结构。

而无定性硅不存在这种延展开的晶格结构，原子间的晶格网络呈无序排列。换言之，并非所有的原子都与其它原子严格地按照正四面体排列。由于这种不稳定性，无定形硅中的部分原子含有悬空键(dangling bond)。这些悬空键对硅作为导体的性质有很大的负面影响。然而，这些悬空键可以被氢所填充，经氢化之后，无定形硅的悬空键密度会显著减小，并足以达到半导体材料的标准。但很不如愿的一点是，在光的照射下，氢化无定形硅的导电性能将会显著衰退，这种特性被称为SWE效应(Staebler-Wronski Effect).

美国科学家Stanford R. Ovshinsky拥有许多关于无定形硅的专利，包括半导体、太阳能电池等。它们的成本较相应的晶体硅制成品要低很多。

此外，无定形硅可用作热成像照相机(Thermal Camera)中的微辐射探测仪(microbolometer)。

这个弱光是指早晚的光，还是阴天下的光，还是晴天被云遮挡的光，还是建筑物、树荫等的阴影，这些光的波段有区别没有？

这与非晶硅的吸收系数有关，在紫外部分晶体硅的光吸收系数要高于非晶硅1个数量级左右，而在可见光部分非晶硅的吸收系数要好于晶体硅，在弱光条件下，紫外光会明显降低，非晶硅的吸收系数就优于晶硅。