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碲化镉薄膜太阳电池,因其半导体材料的禁带宽度为1.5eV,由此决定其光吸收特性接近太阳光谱,在理论上可以实现很高的转换效率。它和晶体硅不同,其光的吸收是通过直接迁移而发生的,因此它的光吸收效率很高。在比较低的温度下可以再玻璃板上制作结晶性较好的多晶薄膜,因此用这种材料可以制作成本低、效率高的薄膜太阳电池。目前生产碲化镉薄膜太阳电池的公司有美国的FIRST SOLAR、SOLAR FIELDS和AVA TECH、德国的ANTEC SOLAR、中国的龙焱能源材料有限公司等。
碲化镉薄膜太阳电池可在任何形状的衬底上制作,可直接做成屋瓦式太阳电池。这种太阳能屋顶,可极大的节省安装空间,减少系统成本。特别是柔性衬底的薄膜电池,轻而柔软,容易安装,在建筑集成市场中具有很大的竞争力。碲化镉薄膜太阳电池的一大不足之处是试用有毒性的镉。但在生产制作过程中,只要管理得当,并不会对人体和周围环境造成影响,也不会造成环境污染,在欧美国家和地区已经开始使用碲化镉薄膜太阳电池。
碲化镉薄膜太阳电池通常硫化镉作为N型半导体层,制作GdS/CdTe异质结太阳电池结构。到目前为止已开发了多种制备这种太阳电池的方法,如近空间升华法、真空蒸发法、电镀法等。
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