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多晶硅的制作方法

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echo 发表于 2014-3-31 14:35:05 |只看该作者 |倒序浏览

   1.装料

   将装有涂层的石英坩埚在热交换台上，加入硅原料，然后安装加热设备、隔热设备和炉罩，将炉内抽真空使炉内压力降至0.05-0.1mbar并保持真空。通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在400-600mbar左右。

   2.加热

   利用石墨加热器给炉体加热，首先使石墨部件、隔热层、硅原料等表面吸附的湿气蒸发，然后缓慢加温，使石英坩埚的温度达到1200-1300℃左右，该过程需要4-5h。

   3.化料

   通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在400-600mbar左右。逐渐增加加热功率，使适应坩埚内的温度达到1500℃左右，硅原料开始熔化。熔化过程中一直保证1500℃左右，直至化料结束。该过程约要20-22h。

   4.晶体生长

   硅原料熔化结束后，降低加热功率，使适应坩埚的温度降至1420-1440℃硅熔点左右。然后石英坩埚逐渐向下移动，或者隔热装置逐渐上升，使得石英坩埚慢慢脱离加热区，与周围形成热交换;同时，冷却板通水，使熔体的温度自底部开始降低，晶体硅首先在底部形成，生长过程中固液界面始终保持与水平面平行，直至晶体生长完成，该过程约要20-22h。

   5.退火

   晶体生长完成后，由于晶体底部和上部存在较大的温度梯度，因此，晶锭中可能存在热应力，在硅片加热和电池制备过程中容易再次硅片碎裂。所以，晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2-4h，使硅锭温度均匀，减少热应力。

   6.冷却

   硅锭在炉内退火后，关闭加热功率，提升隔热装置或者完全下降硅锭，炉内通入大流量氩气，使硅锭温度逐渐降低至室温附近;同时，炉内气压逐渐上升，直至达到大气压，该过程约要10h。

多晶硅