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硅晶体中碳氧含量的检测

发布者: echo | 发布时间: 2013-3-19 17:07| 查看数: 1556| 评论数: 0

一般硅晶体中掺杂杂质的浓度与氧、碳相比是较低的。氧碳含量指标直接关系到电池片的效率和碎片率，硅中氧含量越高，则电池片的转换效率就越低；碳含量越高，则应力越大，越容易破碎。目前测定硅单晶中的氧、碳含量最常用的方法是红外吸收法。

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