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多晶硅片

发布者: echo | 发布时间: 2013-7-26 14:33| 查看数: 3306| 评论数: 0

测试供求
产品名称: 多晶硅片
公司名称: 宜昌南玻硅材料公司
地区: 宜昌
公司网址: http://www.csgpolysilicon.com/index.asp
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      硅片主要由高纯多晶硅经特殊工艺高温熔炼成一定形状的硅方块或硅圆棒,再经多线切割而成薄片状,以满足后续加工的需要。硅片是目前光伏行业最重要的基体材料。
      宜昌南玻依托自身的硅材料基地,能够最大限度的发挥硅材料资源的整合优势,保障原材料品质和供应稳定。随着光伏产业的迅猛发展,处于光伏产业上游的硅片生产环节显得越来越重要。为了降低成本,增大单位原料的产出,我们生产的高密度、高性能、轻薄高效的硅片成为了硅片市场的“新宠”。
      配图:硅片厂房、硅片、硅片工艺流程等。
单晶硅片技术规格要求
     
通过标准
A级B级说明
项目
物理性能晶向(100) ± 3°(100) ± 3° 
氧含量(atom/cm3)≤1.0E+18 ≤1.0E+18  
碳含量(atom/cm3)≤5.0E+16≤5.0E+16 
少子寿命(μs)τ≥10μs(钝化后)τ≥10μs(钝化后) 
导电类型PP 
电阻率(Ω.Cm)1-3;3-60.8-3;3-6 
几何参数边长(mm)125×125±0.5125×125±0.5 
对角线(mm)165±0.5165±0.5 
厚度(μm)200±20200±30 
TTV(μm)<30≤50 
翘曲度(μm)<50<70 
同心度任意两弧的弦长之差≤0.5mm任意两弧的弦长之差≤1mm 
垂直度90±0.3°90±0.5° 
外观质量崩边长≤0.5 mm,
深≤0.3 mm
长≤1 mm,
深≤0.5 mm
硅片边缘破损,无论是否有穿透现象都视为崩边
数量≤2个 
无V型口无V型口
硅落长≤50mm,宽度≤100μm,深度不能延伸到硅片表面长宽不限,深度不能延伸到硅片表面硅片边缘有硅粉掉落、亮边现象
线痕中部≤17 μm,边缘2mm内≤20 μm≤30 μm 
无密集线痕 密集线痕(每1cm上线痕的条数超过5条)
色差有明显色差 
污片无明显沾污,表面脏污≤10% 
位错(pcs/㎝2)≤3000≤3000 
应力片 
凹坑、缺口、裂纹、气孔、台阶 

多晶硅片技术规格要求
     
通过标准
A级B级说明
项目
物理性能氧含量(atom/cm3)≤1.0E+18 ≤1.0E+18  
碳含量(atom/cm3)≤5.0E+17 ≤5.0E+17  
少子寿命(μs)τ≥2μsτ≥2μs 
导电类型PP 
电阻率(Ω.Cm)1-30.8-3 
几何参数边长(mm)156×156±0.5156×156±0.5 
厚度(μm)200±20200±30 
TTV(μm)<30≤50 
弯曲度(μm)<50<70 
对角线(mm)219.2±1.2219.2±1.2 
倒角(mm)1~20.8~2 
垂直度90±0.3°90±0.5° 
外观质量崩边长≤0.5 mm,
深≤0.3 mm
长>1 mm,
深≤0.5 mm
硅片边缘破损,无论是否有穿透现象都视为崩边
数量≤2个 
无V型口无V型口
硅落长≤50mm,宽度≤100μm,深度不能延伸到硅片表面长宽不限,深度不能延伸到硅片表面硅片边缘有硅粉掉落、亮边现象
线痕中部≤17 μm,边缘2mm内≤20 μm≤30 μm 
无密集线痕 密集线痕(每1cm上线痕的条数超过5条)
色差有明显色差 
污片无明显沾污,表面脏污≤10% 
微晶(pcs/㎝2)≤10 
应力片 
凹坑、缺口、裂纹、气孔、台阶 

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