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2013-8-25 22:52 上传

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本标准是根据我省太阳能光伏产业发展的实际需求，以GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》为依据，参照GB/T 9535-1998《地面用晶体硅光伏组件  设计型式和定型》结合国内外晶体硅光伏产业的现状和发展趋势

制订的。

序号	项目	内容	技术要求
1	电池片	裂纹、破碎、针孔	不允许。
		崩边	“U”型：沿电池片厚度方向，深度不大于电池片厚度的1/2，面积≤2mm2的崩边，每片电池片≤2处；    “V”型：不允许。
		缺角	“U”型：每片电池片，深度＜1.5mm,长度＜5mm的缺角不得超过1处；深度＜1mm,长度＜3mm的缺角不得超过2处；    “V”型：不允许。
		主栅缺失	不允许。
		细栅断栅	每片＜3mm且不超过2处。
		银浆玷污	每片电池玷污面积≤10mm2；    任何25mm范围内≤10个银浆点污渍且不明显。
		助焊剂印	每个电池片助焊剂印≤5mm；    每个电池片上≤2个助焊剂印且每块组件上有助焊剂印的电池片不超过5片。
		互连条偏离	互连条偏离主栅线的长度＜20mm，偏移量≤1/3主栅线宽度，且数量小于3处。
		主栅与互连条脱焊	主栅线与互连条之间的脱焊长度＜5mm。
		电池到铝边框距离	＞3mm。