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等离子体增强型化学气相沉积(简称PECVD),是一种在较低的压力下,利用电磁场产生放电,通过电子碰撞使通入气体分解成高活性的粒子,从而在气相和基板表面发生化学反应而沉积薄膜的方法。PECVD技术可用于沉积非晶硅、微晶硅、硅锗、氮化硅等薄膜。设备在硅基异质结(Hetero Junction)电池、叠层硅薄膜电池、OLED等领域有广泛运用。 随着光伏技术的不断发展,第三代硅基异质结高效太阳能电池凭借其高转换效率和低温度系数的优点逐渐获得市场的青睐,其克服了传统晶体硅电池成本较高和薄膜电池低光电转换效率的缺点,具有广阔的发展前景。目前三洋公司研制的HIT高效太阳能电池效率已突破25.6%,其双面镀膜的HIT电池效率更是超过了26%。相较于其他高效电池技术,异质结技术已成功推出市场并被验证长达20余年,技术成熟,目前位于硅基电池转换效率首位,有望引领未来高端光伏市场。 在中国,理想能源先成功开发了非晶微晶叠层硅薄膜太阳能电池的关键生产设备-PECVD设备,2013年又推出用于高效异质结太阳能电池生产的PECVD设备及其配套工艺:在线式INLINE PECVD(1200片/小时),U型“卡夹至卡夹全自动”PECVD(75MW/2台)、和集簇式PECVD(100MW)。其中在线式INLINE PECVD和U型PECVD设备已实现全自动化配置,最高光电转换效率为21.7%,同时还可提供离线式单腔RF/RPS等离子体托盘清洗设备等辅助设备。 高效异质结太阳能电池的少子寿命已经达到4987.8μs(详见下图),电池转换效率已突破21.7%: 单腔室PECVD特别适用于电池生产厂商以及各高校、研究所等研发机构的工艺研发。其应用范围广:可分别用于沉积高效多晶硅薄膜异质结、硅锗或非晶硅单结和非晶硅/微晶硅叠层薄膜电池,同时在OLED、TFT、减反膜和低温封装领域也可广泛应用。单腔室PECVD适用于高效异质结、非晶、微晶或硅锗等单结、多结薄膜电池的工艺研发,研发结果可直接导入大规模生产,有先进的“双真空”设计,沉积环境重复、稳定、可靠。设备参数: 开机率>98%,工艺温度范围:80℃-450℃,40MHz等离子体源,基片损伤低,无移动原件射频匹配技术,等离子体稳定时间<0.5秒 理想能源的U型PECVD异质结量产设备专为高效异质结电池量产而设计,为电池生产商提供全自动,无污染,高产能,低成本的生产优势。 设备参数: 2台U型设备构成一个量产单元(75MW/年),完成I/N/I/P四层晶硅工艺 产能:1800片/小时(156mm) 效率:>21.7% 目标节拍时间:100秒 设备系统特点: 整个CVD传输过程处于超洁净环境,避免氧化和污染;从晶舟至晶舟全自动化生产;等离子体自清洗系统,保持反应腔洁净,无需开腔体维护,增加正常运行时间;配备清洗系统,消除交叉污染;反应腔体体积小,节省工艺气体用量; 其腔体结构特点:无移动元件射频匹配器/频率自动扫描系统,等离子体稳定时间<0.5秒,确保工艺重复稳定,40MHz甚高频等离子体源,减少表面损伤,独特的反应腔结构设计减少驻波效应,保证等离子体的均匀性, 双真空结构,避免高温工作条件下反应腔的形变,确保工艺稳定。 随着高效电池被越来越多地重视,设备的国产化成了高效电池发展的桎梏。国产化PECVD的研发和推广,必然能带来光伏制造成本的进一步降低。 |