本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善，但对于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。

　　随着光伏产业的快速发展，使晶体硅太阳电池及其组件成为研究的热点，以实现太阳电池组件效益的最大化。电池封装为组件不仅可以使电池的电压、电流和输出功率得到保证，而且还可以保护电池不受环境损害和机械损伤。晶体硅太阳电池经过封装为组件后，组件的功率（实际功率）与所有电池片的功率之和（理论功率）的差值，称为组件封装功率损失，其计算公式为：组件功率损失=（理论功率-实际功率）/理论功率。

　　通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比（Cell To Module简称CTM值）表示组件功率损失的程度，CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小。如果CTM值较低，组件的输出功率有可能达不到预期的要求，遭到客户的投诉，最终造成经济效益的损失。

　　与此相反，如果可以提高CTM值，组件的输出功率的增加会提高公司组件产品的收益，已达到降低生产成本的目的。在组件产品的生产过程中发现单晶组件和多晶组件的CTM差别比较大。在组件生产工序完全一致的情况下，单晶组件CTM损失要高于多晶组件，本文主要针对单晶和多晶组件CTM的差异性进行研究，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。

　　影响CTM的因素很多，包括：

　　A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。

　　B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的电阻引起的损耗，焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。

　　C.不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失，由于组成组件的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失（分档，低效片混入）。

　　D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。

　　E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。

　　F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。