采用背钝化局部接触电池（PERC）技术可以有效抑制光生载流子在硅背表面的复合，制得的电池在长波段的光谱响应明显增强，基于P型硅片可将电池转换效率值在常规工艺的基础上提升0.8-1.2%。同时，PERC电池优异的温度系数及弱光发电性能使单瓦的发电性能更具优势。经量产工艺优化，单晶PERC平均转换效率可达21%，60片组件功率最高达到300W。多晶中将PERC技术与反应离子刻蚀（RIE）技术结合可使电池转换效率提升到20%以上。