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5.存在的问题及展望 虽然PERC电池产业化的号角已经吹响,但仍存在一些问题有待业内同行解决,最为突出的就是PERC电池的光致衰减。通过对比发现:体电阻率在2ohm*cm的单晶PERC电池光致衰减高达4.5%,比标准单晶高2%,多晶PERC的光致衰减也比标准多晶高。PERC电池双面钝化的结构使得其表面复合速率大幅降低,从而电池性能大大提高,但与此同时表面复合大幅降低使得体复合对PERC电池影响占比增加,因此光致衰减导致的体寿命降低对PERC电池会产生致命的影响。令人欣慰的是已有越来越多的工作[6-7]关注并致力于解决PERC光致衰减问题,现有的通过提高硅片品质,降低体材料氧含量,降低硼浓度(高电阻率硅片),优化热过程等方法,已使得PERC电池光致衰减问题得到了较大改善。 在目前众多高效电池技术中,PERC电池技术与当前工业化电池生产线高度兼容,可以预期:未来几年将会迎来PERC电池产业化高峰。 六、参考文献 [1] A. W. Blakers, A. Wang, A. M. Milne, J. Zhao, and M. A. Green, Applied Physics Letters, vol. 55, 1363 (1989).; [2] J. Zhao, A. Wang, and M. A. Green, Progress in photovoltaics: Research and applications, VOL 1, 133-143 (1993) [3] P. Engelhart, D. Manger, B. Kloter, S. Hermann, A.A. Stekolnikov, et al. , 26th EU PVSEC (2011) [4]A. G. Aberle, S. J. Robinson, A. Wang, J. Zhao, S. R. Wenham and M. A. Green, Progress in photovoltaics: Research and applications, VOL 7, 471-474(1999) [5] Zhengyue Xia, Jingbing Dong,et al., 28th EU PVSEC(2013) [6] J. Adey, R. Jones, D. Palmer, P. Briddon,S. Oberg, Degradation of Boron-Doped Czochralski-Grown Silicon Solar Cells, Physical Review Letters, 93 (2004) 055504. [7]M. H. Du, H. Branz, R. Crandall, S. Zhang, Bistability-Mediated Carrier Recombination at Light-Induced Boron-Oxygen Complexes in Silicon, Physical Review Letters, 97 (2006) 256602 |