2014年8月国家发改委印发的发改价格 [2014] 1908号《关于进一步疏导环保电价矛盾的通知》，公布了各地区的脱硫标杆上网电价。根据各省电网销售电价表，以工商业用电电价为1—10千伏的平段电价、居民用电电价为不满1千伏的平段电价举例，温州市永嘉县商业自用电度电电价最高，达到2.128元/千瓦时。温州市永嘉县工业自用电度电电价次之，为1.961元/千瓦时。杭州市萧山区、富阳市、衢州市的商业自用电度电电价位列第三，为1.928元/千瓦时，苏州市工业/商业/居民自用电度电电价分别为1.087元/千瓦时、1.287元/千瓦时、0.9483元/千瓦时，典型地区的工业/商业/居民的自用电度电电价情况如图 5所示。而在余电上网方面，温州市永嘉县的富余上网电量度电电价仍为最高，达到1.478元/千瓦时，杭州市萧山区、富阳市、衢州市的富余上网电量度电电价次之，为1.278元/千瓦时。南昌市的富余上网电量度电电价位列第三，为1.2255元/千瓦时。苏州市的富余上网电量度电电价为0.851元/千瓦时，富余上网电量度电电价情况如图 6所示。但是需要特别注意的是，各地的附加补贴往往只执行一段时间，并不像国家光伏补贴政策那样执行20年。因此在对电站收益率进行测算时需要具体分析当地的政策细节。

       图 5 典型地区的工业/ 商业/ 居民每千瓦时的自发自用价格情况

       图 6 典型地区的每千瓦时的余电上网价格情况

       7 、分布式光伏发电技术发展现状

       分布式发电系统对于光伏发电设备提出了不同的要求。东部地区建筑屋顶面积有限，这就要求光伏组件的效率高。此外，在东部地区的分布式光伏系统往往建在特殊的环境中，比如鱼塘、沿海滩涂、农业大棚顶部等，因此需要电池组件具备更好的耐候性，这也促进了太阳电池技术的创新和改进。

       （1）在晶硅电池方面，提高组件转换效率、降低制造成本仍是业界当前的共识。中国单晶硅和多晶硅电池产业化生产的平均转化效率已分别达到19.0%和18.0%。国内企业在背钝化电池技术、双面发电电池技术、组件前板玻璃减反射技术、无边框组件技术等方面不断探索，技术不断进步。中国多家晶硅电池企业均在大幅扩建高效晶硅电池生产线，部分企业的高效光伏电池和组件技术已经达到国际先进水平，如尚德所研制的“Pluto”单晶硅电池使用激光掺杂技术制备选择性发射区电池；英利公司的“熊猫”电池使用前后表面钝化技术制备 n型太阳电池；常州天合的 Honey电池技术结合前表面新型植绒技术和背表面钝化技术多次打破多晶硅电池的世界纪录；晶澳的“博秀”电池使用背钝化技术制备出超过20%的单晶硅电池（PERC）；南京中电的PERC电池；阿特斯的 ELPS电池等效率均已达到20%以上，形成的高效电池生产能力均已达到30兆瓦以上。晶澳、昱辉、赛维 LDK等企业采用高效多晶技术生产多晶硅电池效率已达到19%以上，量产效率超过18.0%。目前，中国高效晶硅电池产量已占据全部电池产量的15%左右，预计到2015年，高效晶硅电池产量占比将达到30%甚至更高。根据一些国内外设备商的统计，2016年中国太阳电池厂已经订购了大约6吉瓦左右的背钝化晶体硅电池（PERC）的产业化设备，因此未来2—3年中国传统的晶体硅电池将出现一轮技术升级改造的大潮，将全面提升单晶硅太阳电池的产业化效率，PERC电池的产业化效率将达到20%—20.5%。多晶硅电池在导入背钝化技术时还遇到了一些障碍，全球的技术研发单位与产业公司也正在着手解决这些问题。除了 PERC电池外，未来更高效的单晶硅太阳电池的技术主要是两种技术路线：（1）非晶硅/晶体硅异质结太阳电池（HJT），日本的松下公司已经具备了1吉瓦的该种太阳电池生产线，产业化平均效率在22%，日本、欧洲和美国也有多家晶体硅太阳电池公司开展了产业化研究，日本长洲产业公司具有40兆瓦的 HJT电池生产线。中国的杭州赛昂公司、嘉兴尚彭公司也都进行了产业化技术开发，电池效率在21%—22%之间。中科院电工所和上海微系统所分别对这种电池进行了中试研究； （2）插指状背接触电池（IBC），该种电池主要是美国的 Sunpower公司实现了产业化，产能达到1吉瓦，但是该种电池的工艺复杂，成本较高，一般以聚光跟踪系统为主，国内常州天合开展了该种电池的研究，并且也达到了24%以上的效率，但是离产业化开发的距离还较远。神州太阳能公司开发的n型硅双面太阳电池采用了离子注入技术与硼扩散技术的结合，制备出了产线平均效率在20.5%的 n型单晶硅双面电池，实际使用中可以增加最多30%的发电量。

       （2）在硅片切割技术方面，已经使用金刚线切割单晶硅片，以取代传统的砂浆切割技术，降低了切割损耗，从而降低了硅片成本。由于金刚线切割的硅片表面缺陷少，使用常规的腐蚀液很难对其进行织构化处理，业界已经开发出针对金刚线切割的单晶硅片进行织构化腐蚀的特种添加剂，解决了这一难题；但是对于金刚线切割的多晶硅片，目前还没有开发出相应的表面织构化腐蚀的添加剂，还不能有效地进行化学处理，因此对于多晶硅电池还没有导入金刚线切割技术。但是近来国内多家太阳电池公司已经开始使用等离子刻蚀干法制绒对金刚线切割的多晶硅片表面进行植绒，得到很好的效果。因此，在未来1—2年内，多晶硅电池也可使用金刚线切割的硅片，从而进一步提高其效率，降低其成本。

       （3）晶体硅电池组件封装方面也进行了大量的技术创新和开发工作。其最主要方面是提高组件的可靠性，其次是减小电池组件的封装损失。在提高组件可靠性方面，主要是消除电压导致的衰退现象（PID），消除电池组件出现所谓蜗牛纹，提高电池的耐候性等方面的改进。使用高阻水、高电阻的 EVA材料、背板材料，以及使用双玻组件提高上述性能。在减小封装损失方面，采用了高透光 EVA和高反射 EVA的组合进行封装。另外，对于前玻璃进行镀膜改性，包括增加玻璃透光性、减少玻璃外表面沾污（自清洁玻璃：亲水涂层或疏水涂层）、光子能量（上、下）转换等技术，都有助于减小前玻璃板的封装损失。