4月19日，保利协鑫在2017SNEC国际太阳能产业及光伏工程展览会上发布G3新型单晶硅片产品。据介绍，该产品使用铸锭技术生产单晶，在效率、品质、成本、产量上综合了单晶和多晶各自的优势。来自多家电池组件企业的数据显示，新型单晶硅片G3在常规电池工艺、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率差均小于0.5个百分点，同时在成本上有明显优势，对光伏的高效化、平价化发展意义重大，有望给传统单晶技术带来深刻变革。

　　G3新品创造性地使用铸锭技术生产单晶，“新”在铸锭技术和单晶的完美结合。据保利协鑫首席技术官万跃鹏介绍，一直以来，光伏企业都采用铸锭技术生产多晶、用直拉法生产单晶。但无论铸锭技术还是直拉技术，都可以生产单晶或者多晶。保利协鑫采用新一代铸锭技术路线生产单晶，融合了单晶完美的晶体结构和表面特性、多晶的低成本等优势，G3新产品无论是外观还是位错密度都可媲美直拉单晶。而且，铸锭“鑫单晶”硅片光衰更低、组件封装损失小且更容易扩大尺寸，全寿命周期的实际输出功率更高，可为应用端带来实实在在的高收益。

　　万跃鹏用“高产能、高效率、低成本、低光衰”概括新产品的多重优点。由于铸锭单晶技术产出的同样是晶向一致、位错密度低的单晶，可与传统直拉单晶一样使用碱制绒工艺，因此转换效率非常接近直拉单晶产品，并完全适用于PERC等高效电池技术，带来更高的产品效率。同时，G3硅片还继承了铸锭技术产品“光衰”较低的优点，氧含量仅为直拉单晶的一半，甚至优于常规多晶硅片，因而由此带来的组件光衰显著优于传统直拉单晶。不仅如此，新型G3硅片比同样边长为156.75mm的直拉单晶硅片面积多出136mm²，这意味着封装成组件时的损失更小。

　　更可贵的是，以上这些收益都是在低成本的情况下实现的。不同于采用直拉法制备的传统单晶，新产品采用铸锭技术，单次投料量大，生产成本明显优于采用“一炉三根”、“一炉四根”的直拉法单晶。铸锭单晶的晶体结构意味着其可以完美匹配金刚线切割技术，切割过程的硅料损失更小并可以生产更薄的硅片，这都是铸锭单晶成本更低的原因所在。总体而言，保利协鑫G3新型单晶硅片使用的铸锭技术，在实现高效率、高收益的同时，十分讨巧地避开了单多晶各自的劣势，有望给当前单晶、多晶对立的竞争格局带来新的改变。