| 衬底选择的研究进展 多晶硅薄膜太阳电池衬底选择的材料与薄膜的制备工艺有关，多晶硅薄膜太阳电池在薄膜的制备工艺上可分为低温沉积工艺和高温沉积工艺。因此，衬底选择方面就分为低温沉积工艺下的衬底选择和高温沉积工艺下的衬底选择。 薄膜低温工艺下的衬底选择 在低温沉积工艺中，薄膜制备工艺的温度一股控制在600摄氏度以下,所以衬底的选择范围很宽，普通坡璃、莫来石等均可作为衬底。其中，玻璃因其具有优良的透光特性、可以耐一定的温度、具有一定的强度以及玻璃的成本低廉等优点而被队为是薄膜太阳电池的理想衬底。因此，人们一直将玻璃衬底作为主攻方向且视其为薄膜电池产业化的最具潜力的选项。 日本的Kaneka公司制造了以玻璃为衬底的多晶硅薄膜太阳电池，利用PECVD生长法得到多晶硅薄膜，太阳电池的转换效率巳达10.7%。澳人利亚太平洋光伏公司于1998年开始多晶硅薄膜太阳电池的研究，经过4年多的努力，巳进入商业化阶段，该公司研制的在面积为660cm2的钢化玻璃上的多晶硅薄膜太阳电池的效率已达到8%。Takuya公司以织构的ZnO／Ag／SnO2玻璃为衬底，利用PECVD法直接沉积多晶硅，采用限光技术，获得了效率为8.22%的电池。Kenji Yamamom等以织构玻璃为衬底，在低于550℃的程序温度下制备厂“STAR”结构的多晶硅薄膜太阳电池，由于衬底织构对电池长波吸收的影响，电池效率为10.7%。 利用玻璃作为薄膜衬底时，其最大的缺点是由于受软化温度的限制，薄膜的沉积温度以及相关的后续处理温度都不能太高。而一般来说，温度越高，所制得的薄膜材料越好(或缺陷密度越低)。试图解决玻璃衬底要求温度不能太高而材料又要求温度越高越好这—矛盾，一直是多晶硅薄膜太阳电池研究开发的中心工作之一。 薄膜高温沉积工艺下衬底的选择 在薄膜的高温沉积工艺中，对衬底材料提出厂更高的要求，如高温稳定性，与硅膜的热匹配性以及杂质含量低等等。目前，所采用的耐高温衬底上要有单晶硅、多晶硅、颗粒带硅、石墨和陶瓷等。目前所获得的较好结果有：日本三菱公司在SiO2衬底上制作的多晶硅薄膜太阳电池，其效率达16.5%；德国Fraunhofer研究所在石墨和SiC陶瓷衬底上制作的多晶硅薄膜太阳电池，其效率分别为11%和9.3%。 在所有廉价衬底中，硅基材料导电性好，与多晶硅薄膜没有热匹配问题，孔隙度、粗糙度等问题也易于解决或控制。表2列出了硅基材料衬底布多晶硅薄膜太阳电池上的应用情况。近年来，德国的Fraunhofer研究所利用冶金级或太阳级硅粉经区熔控制而成的颗粒带硅(SSP)技术术取得了可喜的成果，由于制造工艺简单、成本较低、适于产业化发展要求，成为硅薄膜太阳电池领域研究的新热点。 颗粒带硅材料可分为两类： (1)由高纯硅粉拉制而成，杂质、缺陷含量很少，正面平坦，(2)由冶金级硅粉拉制，拉制过程中为避免形成炉渣样物质，在硅粉中加入相当多的碳。 德国Fraunhofer研究所利用RTCVD(快速热化学气相沉积)法在高纯硅粉区熔而得到的颗粒带硅衬底上制作了效率为11.2%的多晶硅薄膜太阳电池：在纯度较低的颗粒带硅衬底上采用正面电极方法制作的多晶硅薄膜太阳电池效率达8.6%。北京太阳能研究所与中科院广州能源所合作，利用德国Fraunhofer研究所提供的SSP技术在高纯度颗粒带硅衬底上制备多晶硅薄膜太阳电池，转换效率为8.25%。
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