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射频同轴电缆屏蔽衰减测试方法的比较

2013-10-14 09:57| 发布者: echo| 查看: 7930| 评论: 0

摘要: 1 电缆屏蔽衰减的定义 随着电子通信及网络的高速发展,连接电子设备内部或电子设备之间的电缆的屏蔽性能正受到越来越多的关注。电缆具有天线效应,它既可以辐射信号,也可以接收信号。信号通过电缆辐射时,会对其它电 ...
       测试时,将被测电缆置于小室内,电缆一头接匹配负载,另一头接频谱分析仪。信号发生器注入正弦等幅波。射频信号在GTEM小室的工作区域激励出均匀的垂直极化电磁场。用功率计测量GTEM小室激励功率P1;保持输入功率不变,通过频谱分析仪测得渗透到电缆内部的渗透功率P2。则电缆的屏蔽衰减αs = 10 lg ( P1 / P2 ) 。

图4  GTEM小室法测试系统示意图
       3  屏蔽衰减测试方法的比较
       上述四种射频同轴电缆屏蔽衰减测试方法的对比如表1所示。基于电路原理测量射频同轴电缆屏蔽衰减的三同轴法、功率吸收钳法均适用于频率较低的场合。三同轴法是基于屏蔽衰减与转移阻抗的关系,通过测量转移阻抗来间接评价电缆的屏蔽衰减。它是一种封闭式的测试方法,操作和调试非常简单,测试精度也较高,但试样的制作和加工有一定难度。随着电缆工作频率的升高,必须考虑电缆单位长度上电感和电容的影响及相位的变化,此前的屏蔽衰减与转移阻抗的关系不再适用。功率吸收钳法具有操作简便、使用方便的特点,它是一种开放式的测试方法,测试精度易受周围电磁环境的影响。并且,由于功率吸收钳法测量的频率范围受吸收钳的工作频率限制,所以其测量频率范围相对较小。
       基于场的原理测试射频同轴电缆屏蔽衰减的混响室法,测量频率范围最大,能提供各个入射方向和极化方向的入射波,从而更接近实际的电磁环境,因此不会受到功率吸收钳法以及GTEM小室法对被测电缆长度及放置要求的限制,可非常轻松地测量各种形状的电缆。虽然理论上,混响室法没有测试频率上限,但它的测试频率下限却取决于混响室的尺寸。图5是混响室体积与测试频率下限的关系。

       可以看出,混响室的尺寸越大,其频率下限就越低,即测试频率较低时必须使用较大尺寸的混响室。此外,混响室的设备非常昂贵,它的信号处理过程也较为复杂。
       与三同轴法、功率吸收钳法相比,GTEM小室法的测量频率范围更大。与混响室法相比,GTEM小室法的测试效率高,仪器设备更为简单,自身及配。
       2.5  模具的质量
       模具也是影响整体镀锡编织外导体质量的重要因素。如模具表面光滑,则镀层表面细致、均匀;如模具表面粗糙,则镀层会出现裂纹、划伤等问题。在整体镀锡工艺生产中要注意对模架角度的调整,以保证锡炉中的压线支点、模具中心点及导轮上的支撑点在一条直线上。模具的孔径也是影响整体镀锡成品线质量的一个关键因素。如模具孔径偏小,易造成张力过大,编织外导体抖动频繁,镀层厚度不均;如模具孔径偏大,则锡层偏厚,影响镀层的质量,且耗锡量增加,成本提高。经过生产试验及对产品性能的测试,刮锡模的孔径应比编织层外径大0.1mm左右为宜。
       3  整体镀锡工艺常见问题及原因
       整体镀锡工艺常见的质量问题有:a.发生脱锡、编织层局部漏镀,其原因可能是助焊剂活性过低或编织网表面有油污、锡灰,可通过更换助焊剂和加强除油、清洗等方法解决。b.锡层表面发黄,其原因可能是锡温过高或锡的质量较差,可通过降低锡温和更换锡等方法解决。c.锡层表面不均匀,有锡瘤,这可能是由放线张力不稳、模具过大以及生产速度过快等因素造成,可通过调整放线张力、更换模具和降低生产速度等方法解决。d.锡层表面粗糙、锡层过厚,这可能是因模具被划伤、生产速度过慢以及模具过大等因素造成,可通过更换模具和提高生产速度等方法解决。e.锡层过薄,其原因可能是模具过小或生产速度过慢,可通过更换模具和提高生产速度等方法解决。f.镀层表面有针孔,其原因可能是锡温过低或生产速度过快,可通过升高锡温和降低生产速度等方法解决。
       综上所述,实际生产过程中常常因设备、原材料、工艺等因素造成脱锡、编织层局部漏镀、裂纹以及锡瘤等问题。因而,我们应通过对原材料、工艺流程以及各生产环节的严格控制,避免上述问题的产生,才能生产出镀层均匀,表面光亮,无针孔、黑斑,镀锡层与编织层结合紧密,耐弯曲性能良好,且产品质量及单线长度均有保证的半柔同轴电缆。由于设备和工艺的异同,实际生产过程中影响半柔同轴电缆镀锡质量的因素还有很多,以上只是笔者的几点心得,供同行参考。

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