性情之下，写了点关于PID的感想，看到点击量和回复说明大家对PID真滴很感兴趣，也看出在中国光伏行业，PID已经到了一个非说不可的地步了。本篇谈谈鄙人从事PID测试多年来对测试方法和标准的理解，欢迎继续指正。

       PID自从被Sunpower等公司发现以来，国外的研究、认证机构有很多深入的探讨。NREL、PI、TUV等率先介绍了他们的测试方法，包括高温和常温室内模拟户外运行环境。但直到2011年，IEC的TC82工作组才开始起草了第一篇关于PID测试的推荐标准草案，并在2012年初对外公布、征求意见。公布后的一年多时间，IEC TC82工作组一直在为起草最终的标准而努力，但至今尚未有确切的进展消息。

       在诸多研究、测试机构所公布的研究方法中，基本的思路是雷同的，这包括：
       1. PID产生的机理：一般都认为是电池片极化的结果，漏电流是形成电池片极化的重要因素；
       2. 组件暴露在正、负偏压都会造成PID，对于P型组件，负偏压的效果更明显；所以正负偏压都要做；
       3. P型、N型、非晶硅薄膜组件都有可能产生PID，所以含硅的组件都要做；
       4. 对系统真实运行环境的模拟：强调边框接地、温度和湿度的协同影响；

       认识雷同，但测试方法各异。这不仅是指环境条件的模拟，也包括环境试验前后对组件性能的评定。通行的做法是：
       1. 实验前对组件对组件做光照预处理；
       2. 目视检查、绝缘性、接地连续性、IV测试；
       3. 模拟环境条件下的正、负偏压试验；
       4. 试验结束后再进行目视检查、绝缘性能、湿漏电、IV测试。

       通行的判断标准一方面是各类检查都能通过IEC61730的要求，另一方面是IV测试中Pmax的损失不超过5%。这些数据成为组件是否通过PID测试，或者说是否能声称抗PID的硬指标。
      这里面备受大家关注的几点，或许对组件即使通过PID测试但是否真的抗PID会引起争论。

      首先从实验前的光照预处理来说说。光照预处理的主要目的是防止因LID造成组件测试的数据不稳定。目前一般采用的光照预处理通常要求组件接受5-20KWH/M2的暴晒，这个跨度给测试留下了很多不确定的因素。不只是说不同公司的组件LID的结果可能是不一样的，单从辐照量的5-20KWH的跨度，就不是一个很严格科学的标准。对组件厂送的样，测试机构并不一定清楚其抗LID的水平，或许需要组件厂自己在送样的时候根据自己产品的质量提出建议，这一点能否做到？甚至说，组件厂送的样或者他们在自己实验室测试的时候有没有做LID？有的组件做完LID后性能可能比暴晒前Pmax更高（可能不太容易让人相信，但确实有，据说有一种可能是因为EVA中的紫外吸收剂经过光照后有效成份降低了，暴晒后紫外部分的转换率反而出来了）。功率损失判定标准本来就只有5%的幅度，几瓦的区别如果就体现着在5%上下那么一点，合不合格就变成一个临界值了。再加上模拟器本身的误差，有时候PID测试过不过就看那么一点运气，除非你的损失真的很低。

       业界其实更关注的是环境条件的模拟。在IEC的现行的推荐稿中，要求是在60C、85%的湿度下做96小时。但实际上测试认证机构很多都是按照组件厂的要求在做模拟。有做室温PID的，有做双八五PID的，也有做48小时的，五花八门。如果不仔细看测试结果，只凭一份报告或者只凭组件厂的声称，还真的无法判断有测试报告的组件是否真的是抗PID了。
       最有争议的恐怕就是室温PID试验了。