图5～图8给出实验结果。采用平板式PECVD法制备氮化硅薄膜时，沉积条件对氮化硅薄膜特性的影响如下：

(1)压强主要对折射率和腐蚀速率有影响：随着压强的升高(见图5)，折射率上升而腐蚀速率下降(见图6)。压强增大时，膜的均匀性下降(见图7)。

(2)功率主要对膜厚和膜厚差有影响：随着功率的增大，膜厚增大而膜厚差下降(见图8)。

(3)流量比主要对折射率、膜厚和膜厚差都有影响：随着流量比的升高，折射率下降而膜厚和膜厚差都是先升后降(见图8)。

(4)温度对薄膜的各个参数影响都不大。温度上升，折射率增大(见图5)，腐蚀速度下降(见图6)。

4 结语

经过实验分析，在温度为430℃，压强为2.1×10-1mbar，功率为3 200 W，流量比为3.07，制备的薄膜具有良好特性，是制作减反射膜的良好的方案。