| 四种不同的接地方式分别对应的从向阳面玻璃对地的接地电阻为：
R(A)>R(B)>R(C)》R(D)。
每一件组件测试时都保持在75℃环境下，持续施加4 小时的偏压1000V，监控漏电流显示：
试验后进行功率测试，A、B、C 组件测试前后功率波动在1%以内，只有D 组件衰减了14.54%，对比D 组件前后EL 如图所示：
由此可见，组件从玻璃到对地的漏电流通道电阻对PID效应也是有影响的。增加PID通道电阻来减少PID效应不仅是体现在提高封装材料的电阻上。整个通道的对地电阻都会对漏电流产生影响。在这个实验中因为测的是双玻组件，其模拟的边框漏电流通道可以在一定程度上反应边框电阻对PID的意义。 未完，待续。。。 |
，换成塑料边框自然不用接待，也不会有PID了