首先，和试验箱中不盖铜箔的组件一样，出现电池片的位置都是靠近边缘的地方，只是这一次都是靠近组件的下半部分。究其原因，是否有可能因为组件在户外运行的过程中，越靠下方的部位所积累的污染越大，污染物中的杂质离子对形成漏电流通道起到了重要的作用，下方的玻璃表面的漏电流自然要比上方相对干净玻璃表面的漏电流来得小。因而，受影响严重的电池片更容易出现在组件的下半部位。

       户外组件PID效应后的黑片位置从下面的图片中可以观察得更为清楚。

光伏阵列的PID现象

       接地方式的不同还可以进一步通过铜箔覆盖不同位置的实验可以说明。对同一块组件，将玻璃表面用一300X1000mm的长条铜箔从玻璃表面一侧覆盖到另一侧，做完PID试验后可以发现覆盖到铜箔位置对应的电池片出现黑片的几率远高于未盖到铜箔的位置。

       通过以上的介绍，我们可以看出，从玻璃到接地点之间通道的电阻对漏电流造成的影响会反映在PID效应上。电阻越大，漏电流就越低，造成PID效应的可能性也随着降低。

       由此我们也可以大胆地假设，如果我们在组件安装方式上能够做一些改变，或许能对抗PID起到一定的帮助作用。我们不能将接地之间的通道切断，因为这是对漏电的最后防护，但在降低漏电流和漏电防护之间总有一种平衡帮助我们降低PID发生的可能性：

       以上试验，并不是为了贬低目前的抗PID的EVA解决方案。和目前现有的封装材料PID解决方案一样，这些方案都只能在一定程度上改善抗PID效果，都不能从根本上解决PID问题。但只要是有帮助，各种因素集合在一起，就是解决PID的的合力，对光伏的大规模应用终究是有益的。