选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶S125-D165（对角线165mm）电池制作组件（板型：4×9=36片串联），在板式PECVD时，调节氮化硅膜厚分别为70-75、80-85、90-95（nm），三组电池各制作5块组件，组件的其他辅材相同。组件的理论功率为96.15W，封装结果见表一。 

       从数据上看，氮化硅膜越厚的组件的输出功率越高，封装损失越小，应该属于光学方面的损失，可能是因为厚的氮化硅膜与EVA、玻璃三者的匹配效果最好，具有较好的减反射效果，从而有助于提高组件的功率。