一、刻蚀工序基本作用 目前常规太阳电池的生产流程如下：
刻蚀作为太阳电池生产中的第三道工序，其主要作用是去除扩散后硅片四周的N型硅，防止漏电。刻蚀一般情况下和去PSG联系在一起，去PSG顾名思义，其作用是去掉扩散前的磷硅玻璃。反应方程式如下： SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O 具体的刻蚀示意图如下：
二、刻蚀的基本分类以及一般工艺流程 目前，晶体硅太阳电池一般采用干法和湿法两种刻蚀方法。下面我们分开介绍两种刻蚀方法的差别： 1）干法刻蚀 干法刻蚀夜叫等离子刻蚀。即采用等离子体轰击的方法进行的刻蚀。 随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。它们统称为物质的三态。如果温度升高到10e4K甚至10e5K，分子间和原子间的运动十分剧烈，彼此间已难以束缚，原子中的电子因具有相当大的动能而摆脱原子核对它的束缚，成为自由电子，原子失去电子变成带正电的离子。这样，物质就变成了一团由电子和带正电的的离子组成的混合物 。这种混合物叫等离子体。它可以称为物质的第四态。等离子产生一般有三种方法：
具体到太阳能电池中，等离子刻蚀是采用高频辉光放电反应，即采用感应耦合的方式使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 （这是各向同性反应） 。 下图为干法刻蚀的示意图：
干法刻蚀具体的工艺过程如下：首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子，即CF4→CF3，CF2，CF，F，C以及它们的离子。 |
