| 其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应（掺入O2，提高刻蚀速率）。具体的反应过程可参考下图：
在实际的太阳能电池的生产过程中，干法刻蚀中影响因素主要是CF4，O2的流量，辉光时间，辉光功率。下面表格为常规的等离子刻蚀所用工艺。
在干法制绒的生产过程中必须注意以下事项： 1、禁止裸手接触硅片； 2、插片时注意硅片扩散方向，禁止插反； 3、刻蚀边缘在1mm左右； 4、刻蚀清洗完硅片要尽快镀膜，滞留时间不超过1h。 2）湿法刻蚀 湿法刻蚀顾名思义，就是在刻蚀的过程中硅片表面是湿的，也就是使用化学品进行刻蚀的方法，大致的腐蚀机制是HNO3氧化生成SiO2，HF再去除SiO2。 下面为化学反应方程式： 3Si+4HNO3 →3SiO2+4NO+2H2O SiO2+4HF→SiF4+2H2O SiF4 +2HF→H2SiF6 湿法刻蚀一般使用的是Rena的设备，其槽体根据功能不同分为入料段、湿法刻蚀段、水洗段、碱洗段、水洗段、酸洗段、溢流水洗段、吹干槽。所有槽体的功能控制在操作电脑中完成。具体如下图所示：
在湿法刻蚀中，主要影响湿法刻蚀效果的因素有带速、温度、槽体内各药液浓度、外围抽风、液面高度等。
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