| 针对刻蚀的效果，主要的检测工艺点有如下几个： 1、方阻上升在范围之内 2、减重在范围之内 3、刻蚀槽药液浸入边缘在范围之内 4、片子是否吹干，表面状况是否良好 相比干法刻蚀，湿法刻蚀具有如下优点： 1.避免使用有毒气体CF4。 2.背面更平整，背面反射率优于干刻，能更有效的利用长波增加Isc。被场更均匀，减少了背面复合，从而提高太阳能电池的Voc。 湿法刻蚀生产必须注意以下事项： 1、禁止裸手接触硅片； 2、上片时保持硅片间距40mm左右，扩散面朝上上片，禁止放反； 3、刻蚀边缘在1mm左右； 4、下片时注意硅片表面是否吹干； 5、刻蚀清洗完硅片要尽快镀膜，滞留时间不超过1h。 三、刻蚀常用化学品以及注意事项：
四、刻蚀效果检测方法 刻蚀主要检测硅片的减薄量、上升的方阻、硅片边缘的PN型。 1、方阻上升： 所用仪器：四探针测试仪 方阻上升标准：方阻上升5个以内 2、减薄量： 所用仪器：电子天平 减薄量标准：多晶0.06-0.07克 3、硅片边缘的PN型： 所用仪器：冷热探针、三探针 边缘PN型：显示P型
作为最常用的检测方法，下面具体介绍一下冷热探针和三探针的检测原理： 冷热探针是利用热探针和N型半导体接触时，将传导电子流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触电而言将是正的。同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。 |
