| 从这些图可以看到有机硅封装的组件表现出相对低的变化速率。以2000小时到5%的衰减来看，EVA封装组件在2000小时后的衰减速率更高，比单晶有机硅组件的衰减率大出20％。
类似的研究也包括有机硅、EVA封装的72片多晶硅组件。在研究中，同样对多个组件进行了测量，只不过这些组件老化长达3500小时。图4、图4b和4c的数据表明和单晶组件类似的结果。在各种试验情况下，有机硅封装组件的IV特性变化不大，而EVA组件都失败了（> 5％最大功率衰减）。另外，FF和Rs分别显示出对最大功率的变化有显著影响。 图3： 单晶72片电池组件的DH老化后IV特性 图4： 多晶72片电池组件的DH老化后IV特性 填充因子已被证明和组件的电阻有关系[10]。报道[4]称电阻增加与腐蚀有关。这就产生一个推论：EVA封装组件Pmax和FF的显著变化，可能与腐蚀有关。由于有机硅组件这两项指标很少或根本没有下降，或许可以推定很少或根本没有腐蚀发生。可以用腐蚀三角形来分析这项测试。 |
