杨德仁教授，浙江大学硅材料国家重点实验室，硅材料直拉单晶研究著名专家。上世纪90年代初，杨德仁教授课题组一直从事直拉硅单晶材料的基础研究，提出了利用共掺杂调控直拉硅单晶中缺陷的新概念 ¾“杂质工程”。通过在直拉硅单晶中共掺氮、锗或碳杂质，有效调控了直拉硅单晶中缺陷的形成和演变行为，从而提高直拉硅单晶的性能。这一概念的提出改变了“硅材料越纯越好”的传统观念，丰富了直拉硅单晶材料的科学研究和工程实践的内涵。
日前，杨教授所领衔的硅材料研究课题组近期在材料科学与工程领域顶尖综述期刊《Material Science and Engineering R： Reports》 上发表长篇论文“Impurity Engineering in Czochralski Silicon” [Mater. Sci Eng. R: Report, 74, 1-33 (2013)]。 该论文系统总结了杨教授硅材料研究课题组二十多年来在直拉硅单晶“杂质工程”研究领域的研究成果。 材料科学与工程领域顶尖综述期刊（5年影响因子为16.5）专门发表材料科学与工程各领域的综述性论文，对相关领域的发展具有重要的引领和指导作用。该期刊不接受自由投稿，由总编邀约在相关领域做出突出贡献的学者撰稿。自创刊25年以来，中国科研机构在该期刊上总共仅发表了18篇论文。杨德仁教授课题组的上述论文是浙江大学首次以唯一单位在该期刊上发表，也是中国大陆学者首次在该期刊上发表关于晶体硅材料研究的论文。
硅单晶是信息产业的基础材料，在发展国民经济和保障国家安全中具有不可替代的地位，因此硅单晶的研究是国家发展的战略性需求。 |
