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扩散硅片加热和银浆烧结
2012-12-13 16:22
|
发布者:
lcs
|
查看: 9140
|
评论: 0
摘要
: 提问: 大家觉的扩散硅片加热和银浆烧结是辐射加热成份大还是热传递成份大?本来有个想法就是把硅片放炉管里然后抽真空一段时间,看看硅片温度。然后再通气体,再测温度。看看哪个变化大,但是有个难点就是怎么测 ...
提问:
大家觉得扩散硅片加热和银浆烧结是辐射加热成份大还是热传递成份大?本来有个想法就是把硅片放炉管里然后抽真空一段时间,看看硅片温度。然后再通气体,再测温度。看看哪个变化大,但是有个难点就是怎么测温度,有没有高手有类似的实验可以确定哪个加热是占的比例大?
网友解答:
都是辐射,当加热体的温度高于1000℃时,95%以上的热传导都是靠辐射。扩散与烧结不同的地方在于,烧结采用的加热源升温速度快。
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